Dalam proses modifikasi permukaan bahan, kita mungkin sering mendengar teknologi pelapisan tipis (thin film). Selain pelapisan tipis, ada ada juga metoda penembakan ion gas atau elektron untuk mengubah sifat permukaan bahan itu. Penggunaan metoda CVD (Chemical Vapour Depostion), PVD (Physical Vapour Deposition), implantasi ion, ion sputtering, iradiasi berkas elektron atau berkas ion, dan lain sebagainya, sudah menjadi proses yang tidak bisa ditinggalkan dalam rekayasa permukaan bahan dewasa ini. Dari sel surya sampai layar komputer di depan anda, dari mata bor sampai semikonduktor, hampir sehari-hari kita memakai produk hasil dari modifikasi permukaan bahan tersebut. Semua metoda yang disebutkan di atas kebanyakan menggunakan gas atau plasma (campuran ion, elektron, dan atom netral) di dalam bejana vakum. Olehkarenanya, penting bagi kita untuk memahami bagaimana gerakan atom di dalam gas, atau ion di dalam plasma. Dengan teori kinetik gas, kita bisa  memperkirakan besar kecepatan atom-atom gas tersebut, dan dapat pula diperluaskan nanti untuk menjelaskan keadaan fisika ion-ion di dalam plasma. Dalam bahasan kali ini, kita akan memulai dari atom gas ideal di dalam suatu bejana.

Tentu kita sepakat bahwa energi kinetik (energi gerak) suatu atom gas ideal akan sebanding dengan suhu gas tersebut. Misalnya suatu kaleng kosong bekas yang tertutup rapat, apabila terbakar ditempat sampah, tentu sering menimbulkan ledakan bukan? Semakin tinggi suhunya, maka semakin aktif atom-atom gas dalam bejana  tersebut bergerak yang akan mendorong tutup bejana agar terbuka atau memecah dinding bejana yang akhirnya menimbulkan suara ledakan. Lalu, bagaimana rumus hubungan antara energi kinetik atom dan suhu gas tersebut?.

Artikel selengkapnya dapat diunduh di kecepatan_partikel_plasma_1